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三星宣布量产GDDR6显存 10nm工艺打造

三星宣布量产GDDR6显存 10nm工艺打造

更新:2018-01-18 17:19:14 来源:中关村在线 

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编辑:尹可

    1月18日消息:三星在今天宣布开始量产GDDR6显存芯片,并表示GDDR6显存将使用10纳米级别生产工艺制造,密度可以达到16Gb。

  据悉,三星GDDR6显存的单颗容量为2GB,工作频率16GHz,IO数据带宽64GB/s,电压为1.35V,相较GDDR5的1.55V节能大约35%。

显存

  三星表示,全新的解决方案可以在一个18Gbps pin的速度上执行,每秒传输速度可以达到72 GBps。

  随着“挖矿”事业的壮大,显卡行业似乎在游戏之外又焕发了“第二春”,市场上的显卡需求日益旺盛,也对显存的要求越来越高。

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